PRODUKTMERKMALE

  • Basierend auf 182 mm Wafer, N-Typ bifazialen HJT-Halbschnittzellen

     

  • Modulleistung bis zu 445W, Effizienz bis zu 22,70%
    Bis zu 90% Bifazialität

     

  • MBB-Halbschnittzellen-Technologie zur Minimierung der
    Auswirkungen von Mikrorissen und ohne Schnittverluste der Module

     

  • Kein BO-LID, hervorragende Anti-LeTID- und Anti-PID-Leistung
    Geringe Leistungsdegradation, hoher Energieertrag

     

  • Bessere Schattentoleranz

     

  • Temperaturkoeffizient für Leistung -0,243 %/K

     

  • Schneelast bis zu 5400 Pa, Windlast bis zu 2400 Pa

JGDN108

GARANTIE

ABMESSUNG

20 Jahre Produktgarantie

30 Jahre Leistungsgarantie

1722 x 1134 x 30mm

Datenblatt

JGDN108 430-445W DE
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