PRODUKTMERKMALE
- Basierend auf 210mm Wafer, N-Typ bifazialen HJT-Halbschnittzellen
- Modulleistung bis zu 670W, Effizienz bis zu 23,67%
Bis zu 90% Bifazialität - MBB-Halbschnittzellen-Technologie zur Minimierung der
Auswirkungen von Mikrorissen und ohne Schnittverluste der Module - Kein BO-LID, hervorragende Anti-LeTID- und Anti-PID-Leistung
Geringe Leistungsdegradation, hoher Energieertrag - Bessere Schattentoleranz
- Temperaturkoeffizient für Leistung -0,243 %/K
- Schneelast bis zu 5400 Pa, Windlast bis zu 2400 Pa
JGDN120
GARANTIE
ABMESSUNG
20 Jahre Produktgarantie
30 Jahre Leistungsgarantie
2172 x 1303 x 35mm