PRODUKTMERKMALE

  • Basierend auf 210mm Wafer, N-Typ bifazialen HJT-Halbschnittzellen

     

  • Modulleistung bis zu 670W, Effizienz bis zu 23,67%
    Bis zu 90% Bifazialität

     

  • MBB-Halbschnittzellen-Technologie zur Minimierung der
    Auswirkungen von Mikrorissen und ohne Schnittverluste der Module

     

  • Kein BO-LID, hervorragende Anti-LeTID- und Anti-PID-Leistung
    Geringe Leistungsdegradation, hoher Energieertrag

     

  • Bessere Schattentoleranz

     

  • Temperaturkoeffizient für Leistung -0,243 %/K

     

  • Schneelast bis zu 5400 Pa, Windlast bis zu 2400 Pa

 

JGDN120

GARANTIE

ABMESSUNG

20 Jahre Produktgarantie

30 Jahre Leistungsgarantie

2172 x 1303 x 35mm

Datenblatt

JGDN120 640-670W DE
PDF – 681,8 KB 1 Download